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英特尔推出“3D”芯片 性能可提高37%--中国国情手册
2011-05-05

腾讯科技讯(萧谔)北京时间5月5日消息,据国外媒体报道,英特尔[YingTeEr]周三推出了采取“3D”制造工艺生产的处置器,采取这一技术生产的芯片[XinPian]性能可进步37%,但耗电量更少。

新的被称为艾维布里奇(Ivy Bridge)的处置器,将于今年年底前投产。总部位于加利福尼亚州圣克拉拉的英特尔[YingTeEr]称,经过近10年的开发,已实现了生产22纳米电子电路的目的,新芯片[XinPian]是第一个依靠3D三门晶体管[JingTiGuan]生产的产品。

英特尔[YingTeEr]高级研究员马克·玻尔(Mark Bohr)表现:“这一技术突破使英特尔[YingTeEr]在芯片[XinPian]行业的领先优势进一步扩展。电压和功耗上的突破,远超我们从上一代到下一代处置器的差距”。

虽然新技术主要是针对PC而设计,但也可以辅助英特尔[YingTeEr]打入手机和其他电池供电设备。虽然每10台PC就有8台安装了英特尔[YingTeEr]处置器,但还没有一部手机采取其芯片[XinPian]。新芯片[XinPian]与现有型号相比,能耗下降了一半,但处置速度雷同,从而延伸了电池续航时间。

芯片[XinPian]上的晶体管[JingTiGuan]越多,就能处置越多的信息。晶体管[JingTiGuan]组合更紧密,可使处置器性能更壮大、更廉价或更省电。

纵向思考

现在为止,横向收缩晶体管[JingTiGuan]电路的线宽,一直是增长晶体管[JingTiGuan]密度的途径。英特尔[YingTeEr]表现,3D方法增长了垂直元素,可在芯片[XinPian]上增长更多的晶体管[JingTiGuan],进步反响才能。新芯片[XinPian]采取的是22纳米技术,而上一代芯片[XinPian]为32纳米。

这项新技术将使英特尔[YingTeEr]领先对手整整一代。本季度其主要竞争对手AMD公司刚推出第一款32纳米处置器。

截止中午12时16分,在纳斯达克股票市场,英特尔[YingTeEr]股价上涨18美分至23.23美元/股。今年以来该股已上涨10%。